RRR0x0P03HZG Automotive-Kleinsignal-MOSFETs

Die RRR0x0P03HZG Fahrzeug-Kleinsignal-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und integrierten G-S-Schutzdioden. Diese MOSFETs bieten -30 V Drain-Source-Spannung (VDSS) und 1 W Verlustleistung (PD). Der RRR030P03HZG MOSFET bietet einen Dauersenkenstrom (ID) von ±3 A und der RRR040P03HZG MOSFET bietet ±4 A ID. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-konform und verfügen über bleifreie Beschichtungen. Die RRR0x0P03HZG MOSFETs von ROHM Semiconductor sind in einem kleinen TSMT3-Gehäuse zur Oberflächenmontage erhältlich und eignen sich für DC/DC-Wandler.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T
Datenblatt
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1.143Auf Lager
3.000erwartet ab 16.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T
Datenblatt
Produkt-Kommentare
4.427Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape