2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

Nexperia  2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs sind Enhancement-Mode-Feldeffekttransistoren (FETs) in kleinen oberflächenmontierten (SMD) Kunststoffgehäusen mit Trench-MOSFET-Technologie. Diese AEC-Q101-qualifizierten Bausteine bieten in einem weiten Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +175°C Kompatibilität auf Logikebene Zu den Anwendungen von Nexperia 2N7002AK N-Kanal Trench MOSFETs gehören Relais- und Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs SOT363 N-CH 60V .22A
Datenblatt
7.040Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
Datenblatt
Produkt-Kommentare
378Auf Lager
5.000erwartet ab 02.04.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT323 N-CH 60V .22A
Datenblatt
46Auf Lager
15.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs SOT23 N-CH 60V .24A
Datenblatt
50.288erwartet ab 02.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape