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LMG3626ZREQR

Name: Texas Instruments LMG3626ZREQR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3626ZREQR
Price: 5.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3626ZREQR

Herst.- Nr.:

LMG3626ZREQR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 650V 270mohm GaN FET with integrated dri

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG3626ZREQR Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5,84 €	5,84 €
	4,34 €	43,40 €
	4,05 €	101,25 €
	3,56 €	356,00 €
	3,38 €	845,00 €
	3,04 €	1.520,00 €
	2,86 €	2.860,00 €
	2,43 €	4.860,00 €
	2,35 €	9.400,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-38
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	26 V
Anstiegszeit:	35 ns
Abfallzeit:	24 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	LMG3626EVM-074
Eingangsspannung – Max:	26 V
Eingangsspannung – Min:	10 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	270 mOhms
Abschaltung:	Noshutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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USHTS:: 8542390070
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3626 700 V 220 mΩ GaN-FET

LMG3626 700 V 220 mΩ GaN FET Applikationen Texas Instruments ist für den Einsatz in Schaltnetzteilen (SMPS) konzipiert. Dieser IC unterstützt Wechselrichter Leichtlast- Wirkungsgrad Anforderungen und Burst-Modus-Betrieb mit niedrigen Ruheströmen und schnellen Startzeiten. Die Funktionen des LMG3626 beinhalten einen Gate-Treiber, Schutzfunktionen und Strommessung. Zu den Schutzfunktionen dieses GaN-FET gehören Unterspannungssperre (UVLO), zyklusweise Strombegrenzung und Übertemperaturschutz. Der GaN-FET der Baureihe LMG3626 unterstützt die hohen Spannungen, die bei Offline-Leistungsschaltapplikationen auftreten. Der GaN-FET wird in einem 8 mm x 5,3 mm großen QFN-Gehäuse mit Wärme-Pad angeboten. Der LMG3626 ist ideal für AC/DC -Adapter und Ladegeräte, mobile Wand-Ladegeräte, USB- Wandsteckdosen, Zusatzstromversorgungen, SMPS -Stromversorgungen für TVS und LED-Netzteile.