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GCMX040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX040B120S1-E1
Price: 20.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX040B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMX040B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V SiC MOSFET Power Module

Datenblatt:

GCMX040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	57 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	52 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	242 W
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Vf - Durchlassspannung:	3.8 V

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Datenblatt

GCMX040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module

SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The device delivers low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMX040B120S1-E1 Power Module has a low Q_RR at high temperatures and permits direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.