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SI4056ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056ADY-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI4056ADY-T1-GE3
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI4056ADY-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI4056ADY-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SI4056ADY-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,09 €	1,09 €
	0,685 €	6,85 €
	0,452 €	45,20 €
	0,352 €	176,00 €
	0,32 €	320,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,284 €	710,00 €
	0,277 €	1.385,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	49 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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SI4056ADY-T1-GE3 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Si4056ADY n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix Si4056ADY n-Kanal-MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert und bietet eine Drain-Quellen-Nennspannung von 100 V und einen gepulsten Drainstrom von 40 A. Der MOSFET verfügt über eine sehr niedrige R_DS x Qg-Gütezahl (FOM) und ist auf den niedrigsten R_DS x Q_oss FOM abgestimmt. Der Si4056ADY n-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für primärseitige Schalter, LED-Treiber, Lastschalter und die Synchrongleichrichtung.