TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™5 IBGTs sind die nächste Generation von Dünnwafer-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), die über deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu derzeit führenden Lösungen verfügen. Kein anderer IGBT auf dem Markt kann bei der Leistung des TRENCH ™ 5 mithalten. Diese sind für Anwendungen, mit Schaltung > 10 kHz ausgelegt. Die Waferdicke wurde auf > 25% reduziert, was eine deutliche Verbesserung sowohl bei der Reduzierung von Schalt- und Durchlassverlusten ermöglicht und gleichzeitig eine Durchbruchspannung von 650 V bietet. Dieser Quantensprung an Effizienz eröffnet Designern neue Forschungsmöglichkeiten.
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Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
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Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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244Auf Lager
960erwartet ab 05.03.2026
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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80Auf Lager
7.960Auf Bestellung
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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314Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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5Auf Lager
2.880erwartet ab 09.04.2026
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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568Auf Lager
960erwartet ab 02.03.2026
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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340Auf Lager
720erwartet ab 02.03.2026
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 90 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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288Auf Lager
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Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
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2.102Auf Bestellung
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.05 V - 20 V, 20 V 85 A 227 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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760Auf Bestellung
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
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- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
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- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Min.: 1
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube