BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden
Nexperia BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden sind in unverdrahteten DFN1110D-3- und DFN1412D-3-SMD-Kunststoffgehäusen mit seitenbenetzbaren Flanken eingekapselt. Diese Dioden arbeiten mit einer Schaltgeschwindigkeit von trr ≤ 50 ns, einer hohen Sperrspannung von VR ≤ 200 V, einer niedrigen Gehäusehöhe von 0,5 mm und einer niedrigen Kapazität von Cd ≤5 pF. Die BAS21Q Dioden verfügen über einen niedrigen Ableitstrom und werden in Applikationen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-Schaltung, Universal-Schaltung, Spannungsklemme und Umpolungsschutz verwendet.
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