VEMT20xx/VEMT25xx Silizium-NPN-Fototransistoren

Die Silizium-NPN-Fototransistoren VEMT20xx/VEMT25xx von Vishay Semiconductors sind epitaktische planare Silizium-NPN-Fototransistoren in einem oberflächenmontierbaren Miniatur-Gehäuse (SMD) mit Domlinse. Bei VEMT2003X01, VEMT2023X01 und VEMT2023SLX01 ist ein Tageslichtfilter mit IR-Emittern von 830 nm bis 950 nm integriert. Mit dem VEMT2503X01, VEMT2523X01 und VEMT2523SLX01 reagieren sie empfindlich auf sichtbare Strahlung und kurzwellige Infrarotstrahlung.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Verpackung/Gehäuse Montageart Maximum-Wellenlänge Maximaler Dauerkollektorstrom Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Überschlagsspannung Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Dunkelstrom Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Qualifikation
Vishay Semiconductors Fototransistoren Sideview 470-1090nm +/-35 deg 33.194Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Side view 790-970nm +/-35 deg 10.537Auf Lager
3.000erwartet ab 29.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg 7.118Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 790-970nm +/-15 deg 5.475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 790-970nm +/-35 deg 8.492Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg 9.499Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg 850Auf Lager
6.000erwartet ab 01.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Fototransistoren Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg 4.777Auf Lager
12.000erwartet ab 21.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 470-1090nm +/-15 deg 50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistoren Gullwing 470-1090nm +/-35 deg 2.240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100