Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

STGWA50IH65DF

Name: STMicroelectronics STGWA50IH65DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50IH65DF
Price: 4.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA50IH65DF

Herst.- Nr.:

STGWA50IH65DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STGWA50IH65DF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STGWA50IH65DF

Auf Lager: 400

Lagerbestand:: 400

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 600

erwartet ab 23.03.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 14

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	4,20 €	4,20 €
	2,75 €	27,50 €
	1,99 €	199,00 €
	1,75 €	1.050,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	300 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	HB2
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	100 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,100 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STGWA50IH65DF Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

IH-Baureihe 650-V-IGBTs

STMicroelectronics IH-Baureihe 650-V-IGBTs bieten einen hohen Wirkungsgrad für Induktionserwärmungssysteme und weiche Schaltapplikationen. Die IGBTs gehören zur STPOWER™-Produktfamilie, die über die HB-Baureihe hinausgeht, die zur Zeit für Induktionserwärmungsapplikationen verwendet wird. Aufgrund einer niedrigeren V_CE(sat) zusammen mit einer sehr geringen Ausschaltenergie sorgt die 650-V-IH-Baureihe für einen erhöhten Wirkungsgrad in Endapplikationen. Es gibt 40-A- und 50-A-Bauteile, die bereits in TO-247-Gehäusen mit langen Leitungen verfügbar sind. 20-A- und 30-A-Bauteile befinden sich in der Entwicklungsphase.