SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Qc) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the trr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 4A RDL SIC SKY
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961Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 27 A 20 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 6A RDL SIC SKY
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1.834Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 47 A 30 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 8A RDL SIC SKY
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1.118Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 67 A 40 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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1.012Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 50 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 12A RDL SIC SKY
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990Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 96 A 60 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 15A RDL SIC SKY
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977Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 15 A 650 V 1.5 V 112 A 75 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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2.234Auf Lager
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Through Hole TO-220FM-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 123 A 100 uA + 175 C Tube