DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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736Auf Lager
Min.: 1
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CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 4.096MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660

CDFN-4 4.096 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 4.096MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

CDFN-4 4.096 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 6.0052MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660

CDFN-4 6.0052 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 6.0052MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

CDFN-4 6.0052 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 70MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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Min.: 560
Mult.: 560

CDFN-4 70 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 70MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

CDFN-4 70 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
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Mult.: 25

CDFN-4 40 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

CDFN-4 40 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 32.2123MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 440
Mult.: 440

CDFN-4 32.2123 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 32.2123MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

CDFN-4 32.2123 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001