WST4100D-GP4

MACOM
937-WST4100D-GP4
WST4100D-GP4

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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Datenblatt:
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MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
SMD/SMT
1 Channel
84 V
1.5 A
440 mOhms
- 10 V, + 2 V
- 2 V
- 40 C
+ 85 C
GaN, SiC
Marke: MACOM
Konfiguration: Single
Verstärkung: 20.8 dB
Ausgangsleistung: 30.2 W
Produkt: GaN FETs
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Transistors
Typ: GaN on SiC Transistor
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
USHTS:
8541290040
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

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