VS-SF200SA120

Vishay Semiconductors
78-VS-SF200SA120
VS-SF200SA120

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET

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Vishay
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
127 A
12.1 mOhms
- 8 V, 15 V
2.6 V
- 55 C
+ 175 C
750 W
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 14.08 ns
Produkt: Power Module
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 49.6 ns
Verpackung ab Werk: 160
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 52.48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28.32 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter

Vishay Halbleiter VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter sind hochleistungsfähige Siliciumcarbid-(SiC)-MOSFETs. Die hohe Sperrspannung, der niedrige Durchlasswiderstand, die hohe Schaltgeschwindigkeit und die geringe Kapazität machen diese MOSFETs von Vishay Semiconductor ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, einschließlich Solarwechselrichter und EV-Ladegeräte.