Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

VS-SF150SA120

Name: Vishay VS-SF150SA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF150SA120
Price: 69.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-SF150SA120

Herst.- Nr.:

VS-SF150SA120

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

VS-SF150SA120 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors VS-SF150SA120

Auf Lager: 314

Lagerbestand:: 314 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 38 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	69,80 €	69,80 €
	63,24 €	632,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	126 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 19 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	535 W
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	12.16 ns
Produkt:	Power Module
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	36.16 ns
Verpackung ab Werk:	160
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	44.16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22.08 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

VS-SF150SA120 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-3 (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter

Vishay Halbleiter VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter sind hochleistungsfähige Siliciumcarbid-(SiC)-MOSFETs. Die hohe Sperrspannung, der niedrige Durchlasswiderstand, die hohe Schaltgeschwindigkeit und die geringe Kapazität machen diese MOSFETs von Vishay Semiconductor ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, einschließlich Solarwechselrichter und EV-Ladegeräte.