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UF3C120080B7S

Name: onsemi UF3C120080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120080B7S
Price: 15.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3C120080B7S

Herst.- Nr.:

UF3C120080B7S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

Datenblatt:

UF3C120080B7S Datenblatt

ECAD Model:

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	11,00 €	110,00 €
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	9,68 €	7.744,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	28.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	190 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konformität:	Done
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns, 8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	7 ns, 6 ns
Serie:	UF3C
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns, 33 ns

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC-FETs im D2-PAK-Gehäuse

Qorvo UF3C SiC-FETs in oberflächenmontierbaren D2-PAK-3L- und D2-PAK-7L-Gehäusen basieren auf einer einzigartigen Kaskaden-Schaltungskonfiguration und verfügen über eine ausgezeichnete Sperrverzögerung. In der Kaskoden-Schaltungskonfiguration wird ein im Normalzustand leitender SiC JFET zusammen mit einem Si MOSFET in einem Gehäuse kombiniert, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC FET Bauelement zu erzeugen. Diese SiC-FETs bieten eine niedrige Body-Diode, eine geringe Gate-Ladung und eine Schwellenspannung von 4,8 V, die eine Ansteuerung von 0 V bis 15 V ermöglicht. Diese D2-PAK SiC-FET Bauteile sind ESD-geschützt und bietet eine Kriechstrecke >Mindestabstand im Gehäuse von 6,1 mm. Die standardmäßigen Gate-Drive-Eigenschaften der FETs sind eine Plug-and-Play-Lösung für Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs oder Si Superjunctions. Sie sind in Varianten mit einer Drain-Source-Durchschlagspannung von 1200V und 650V erhältlich und eignen sich ideal für den Einsatz in kontrollierten Umgebungen, wie z.B. Telekommunikation und Server-Stromversorgung, industriellen Stromversorgungen, Motorantrieben und Induktionserwärmung.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.