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TK190A65Z,S4X

Name: Toshiba TK190A65Z,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK190A65ZS4X
Price: 3.61 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK190A65ZS4X

Herst.- Nr.:

TK190A65Z,S4X

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

Datenblatt:

TK190A65Z,S4X Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1,86 €	18,60 €
	1,63 €	163,00 €
	1,38 €	690,00 €
	1,35 €	1.350,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Serie:	DTMOS VI
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	38 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

TK190A65Z,S4X Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs

Toshiba 650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs sind für den Betrieb in Schaltnetzteilen ausgelegt. Diese n-Kanal-MOSFETs verfügen über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Die 650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs bieten einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (typisch) von 0,092 Ω bis 0,175 Ω. Diese Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 10 V.