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SUP90220E-GE3

Name: Vishay SUP90220E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUP90220E-GE3
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SUP90220E-GE3

Herst.- Nr.:

SUP90220E-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

Datenblatt:

SUP90220E-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	230 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

SUP90220E-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

TO-220AB

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

ThunderFET® 150-250 V MOSFETs

Die Vishay Siliconix ThunderFET^® 150-250V MOSFETs umfassen V_ds-Spannungen von 150 V, 200 V und 250 V in n-Kanal-Polaritätstypen. Die Gehäusetypen umfassen nun auch die TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263 und TO-220AB. Der SIR692DP 250V-Gütefaktor (FOM) ist 42 % geringer als bei früheren Generationen. Der SIR692DP reduziert die Leitfähigkeit im Zusammenhang mit Leistungsverlust und erhöht die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Applikationen.PowerPAK SO-8-Gehäuse erreichen den besten R_DS, Q_G und Q_oss durch Minimierung des Gehäusewiderstands und der parasitären Induktivität.
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ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
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