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STGB15M65DF2

Name: STMicroelectronics STGB15M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB15M65DF2
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGB15M65DF2

Herst.- Nr.:

STGB15M65DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STGB15M65DF2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,12 €	2,12 €
	1,37 €	13,70 €
	0,937 €	93,70 €
	0,746 €	373,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	0,632 €	632,00 €
	0,625 €	1.250,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	30 A
Pd - Verlustleistung:	136 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGB15M65DF2
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	30 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	+/- 250 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	1,380 g

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Datenblatt

STGB15M65DF2 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.
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