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ST9045C

Name: STMicroelectronics ST9045C
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST9045C
Price: 74.1 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-ST9045C

Herst.- Nr.:

ST9045C

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

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Datenblatt:

ST9045C Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	90 V
Betriebsfrequenz:	1.5 GHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	M243-3
Verpackung:	Bulk
Marke:	STMicroelectronics
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	130 W
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	ST9045C
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 3 V

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Datenblatt

ST9045C Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-7-23 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.