SSM6N951L,EFF

Toshiba
757-SSM6N951L,EFF
SSM6N951L,EFF

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V

ECAD Model:
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
2 Channel
12 V
8 A
5.1 mOhms
- 8 V, 8 V
1.4 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
700 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Toshiba
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

SSM6N951L/SSM10N954L FeldeffektTransistoren

Die SSM6N951L/SSM10N954L Feldeffekttransistoren von Toshiba   fördern das hocheffiziente Laden/ Entladen von Batterien mit kleinen Zellen. Die Verbesserung der Zuverlässigkeit einer Batterie ’ mit geringer thermischer Belastung ist eine wichtige Voraussetzung für Li-Ionen-Batterien, die schnell geladen werden. MOSFETs werden im Allgemeinen in der Lade-/ Entladeschutzschaltung als Schalter verwendet und sind häufig in Li-Ionen-Akkus eingebaut.