Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SSM3J338R,LF

Name: Toshiba SSM3J338R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J338RLF
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM3J338RLF

Herst.- Nr.:

SSM3J338R,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A

Datenblatt:

SSM3J338R,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Toshiba SSM3J338R,LF

Auf Lager: 191.153

Lagerbestand:: 191.153

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 42.000

erwartet ab 06.03.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 18

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,421 €	0,42 €
	0,257 €	2,57 €
	0,167 €	16,70 €
	0,123 €	61,50 €
	0,11 €	110,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,084 €	252,00 €
	0,082 €	492,00 €
	0,071 €	639,00 €
	0,068 €	1.632,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23F
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	300 mV
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVII
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM3J338
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	383 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	65 ns
Gewicht pro Stück:	11 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SSM3J338R,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD)

Toshiba Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD) verfügen über ein großes Produktangebot, das die neuesten Anforderungen mit TVS, Schottky-Barriere-Dioden (SBD), LDOs, Lastschalter-ICs und dem neuen leistungsstarken eFuse-IC erfüllt. Diese SSDs können Daten schneller analysieren als herkömmliche Festplattenlaufwerke (HDD). Während die SSD-Technologie sich verbessert, wird eine Leistungsschaltung erforderlich sein, welche die zunehmend strengen Leistungsanforderungen zusammen mit einem Schutz, der wichtige Daten vor Ausfällen schützt, erfüllt. Toshiba bietet eine große Auswahl von Lastschaltern und MOSFETs für die Steuerung von Leistungseingängen, Schutz-ICs und Dioden, die für den Umgang mit abnormalen Eingangsleistungsbedingungen und Überspannungen während des Hotplugs ausgelegt sind.