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SQJ570EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ570EP-T1_GE3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ570EP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ570EP-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

Datenblatt:

SQJ570EP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,955 €	9,55 €
	0,64 €	64,00 €
	0,506 €	253,00 €
	0,462 €	462,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,399 €	1.197,00 €
	0,39 €	9.360,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8-4
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A, 9.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	45 mOhms, 146 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC, 12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	27 W, 27 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	17 ns, 15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	15 S, 7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns, 5 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns, 12 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SQJ570EP-T1_GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.