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SISS70DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS70DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS70DN-T1-GE3
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISS70DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISS70DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

Datenblatt:

SISS70DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,63 €	1,63 €
	1,04 €	10,40 €
	0,702 €	70,20 €
	0,556 €	278,00 €
	0,515 €	515,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,442 €	1.326,00 €
	0,438 €	2.628,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	125 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	SISS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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SISS70DN-T1-GE3 Datenblatt

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET-MOSFETs verwenden TrenchFET^®mit ThunderFET-Technologie, die den Ausgleich von R_DS, Q_G,Q_SW,und Q_OSS optimiert. Diese MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching) Die SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs sind für Applikationen für die Primärseiten-Schaltung, Synchrongleichschaltung, DC/DC-Wandler, Motorantriebssteuerung und Lastschalter geeignet. Diese MOSFETs sind im PowerPAK 1212-8S-Gehäuse verfügbar.