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SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR632DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR632DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SIR632DP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

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	1,01 €	10,10 €
	0,695 €	69,50 €
	0,567 €	283,50 €
	0,515 €	515,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,515 €	1.545,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	69.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SIR632DP-T1-RE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
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ThunderFET® 150-250 V MOSFETs

Die Vishay Siliconix ThunderFET^® 150-250V MOSFETs umfassen V_ds-Spannungen von 150 V, 200 V und 250 V in n-Kanal-Polaritätstypen. Die Gehäusetypen umfassen nun auch die TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263 und TO-220AB. Der SIR692DP 250V-Gütefaktor (FOM) ist 42 % geringer als bei früheren Generationen. Der SIR692DP reduziert die Leitfähigkeit im Zusammenhang mit Leistungsverlust und erhöht die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Applikationen.PowerPAK SO-8-Gehäuse erreichen den besten R_DS, Q_G und Q_oss durch Minimierung des Gehäusewiderstands und der parasitären Induktivität.
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Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.