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SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR4606DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIR4606DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Datenblatt:

SIR4606DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,55 €	1,55 €
	0,989 €	9,89 €
	0,66 €	66,00 €
	0,522 €	261,00 €
	0,477 €	477,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,429 €	1.287,00 €
	0,415 €	2.490,00 €
	0,41 €	9.840,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	54 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	48 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

SIR4606DP-T1-GE3 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

30- bis 45-V(D-S)-n-Kanal-MOSFETs

Vishay 30- bis 45-V(D-S)-n-Kanal-MOSFETS sind TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit einer sehr niedrigen RDS-zu-Qg-Gütezahl (FOM). Die Bauteile sind mit einer Kühlungsfunktion auf der Oberseite auf die niedrigste RDS-Qoss-FOM abgestimmt, die einen zusätzlichen Platz für Wärmeübertragungen bietet. Die MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet