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SI8819EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8819EDB-T2-E1
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI8819EDB-T2-E1

Herst.- Nr.:

SI8819EDB-T2-E1

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Datenblatt:

SI8819EDB-T2-E1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MicroFoot-4
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	900 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	45,104 mg

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Datenblatt

SI8819EDB-T2-E1 Datenblatt

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.