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SI7850ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7850ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7850ADP-T1-GE3
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI7850ADP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI7850ADP-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SI7850ADP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,55 €	1,55 €
	0,989 €	9,89 €
	0,663 €	66,30 €
	0,525 €	262,50 €
	0,481 €	481,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,481 €	1.443,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Qg - Gate-Ladung:	11.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	35.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	39 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SI7850ADP-T1-GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

SI78 n-Kanal(D-S)-MOSFETs

Vishay Semiconductors SI78 n-Kanal(D-S)-MOSFETs sind in einem neuen PowerPAK^® -Gehäuse mit niedrigem thermischem Widerstand und einem niedrigen Profil von 1,07 mm erhältlich. Diese n-Kanal(D-S)-MOSFETs sind PWM-optimiert, 100 % R_g-getestet, halogenfrei und RoHs-konform. Die SI78 MOSFETs werden in DC/DC-Wandlern, primärseitigen Schaltern für DC/DC-Applikationen und Synchrongleichrichtern verwendet.