SI7386DP-T1-E3

Vishay Semiconductors
781-SI7386DP-T1-E3
SI7386DP-T1-E3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W

ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
30 V
19 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
11.5 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 50 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9 ns
Serie: SI7
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
Artikel # Aliases: SI7386DP-E3
Gewicht pro Stück: 506,600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SI73 TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs

SI73 TrenchFET® Leistungs-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK® -Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand und niedrigem Profil von 1,07 mm erhältlich. Die TrenchFET® Leistungs-MOSFETs sind 100 % Rg/UIS-getestet und halogenfrei. Diese SI73 Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern.