SI7370ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
781-SI7370ADP-GE3
SI7370ADP-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
57 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 12 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9 ns
Serie: SI7
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20 ns
Artikel # Aliases: SI7370ADP-GE3
Gewicht pro Stück: 540 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SI73 TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs

SI73 TrenchFET® Leistungs-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK® -Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand und niedrigem Profil von 1,07 mm erhältlich. Die TrenchFET® Leistungs-MOSFETs sind 100 % Rg/UIS-getestet und halogenfrei. Diese SI73 Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern.