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SI7336ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7336ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7336ADP-GE3
Price: 2.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7336ADP-GE3

Herst.- Nr.:

SI7336ADP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V

Datenblatt:

SI7336ADP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,67 €	2,67 €
	1,65 €	16,50 €
	1,20 €	120,00 €
	1,01 €	505,00 €
	0,859 €	859,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,816 €	2.448,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	36 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	5.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	110 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Artikel # Aliases:	SI7336ADP-GE3
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SI7336ADP-T1-GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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SI73 TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK^® -Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand und niedrigem Profil von 1,07 mm erhältlich. Die TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs sind 100 % R_g/UIS-getestet und halogenfrei. Diese SI73 Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern.