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SH8KE7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE7TB1
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SH8KE7TB1

Herst.- Nr.:

SH8KE7TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Datenblatt:

SH8KE7TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	2,23 €	2,23 €
	1,53 €	15,30 €
	1,08 €	108,00 €
	0,886 €	443,00 €
	0,849 €	849,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,777 €	1.942,50 €
	0,753 €	3.765,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns

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Datenblatt

SH8KE7TB1 Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs

Die SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über zwei 40-V- oder 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Die SH8K-Baureihe bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und einen maximalen R_DS(on) von 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ. Weitere Merkmale sind die 2 W Verlustleistung und die ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID. Diese RoHS-konformen MOSFETs sind halogenfrei und verwenden eine Pb-freie Beschichtung. Die SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor sind ideal für Schaltanwendungen geeignet.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.