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SCT4020DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4020DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4020DLLTRDC
Price: 20.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4020DLLTRDC

Herst.- Nr.:

SCT4020DLLTRDC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TOLL 750V 80A SIC

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SCT4020DLLTRDC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	16,82 €	168,20 €
	15,47 €	1.547,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	14,32 €	28.640,00 €

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-9
Transistorpolung:	N Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	123 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 V
Pd - Verlustleistung:	277 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	19 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	26 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	53 ns

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SCT4020DLLTRDC Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.