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SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012H90G3AG
Price: 17.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT012H90G3AG

Herst.- Nr.:

SCT012H90G3AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt:

SCT012H90G3AG Datenblatt (PDF)

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	12,69 €	126,90 €
	12,33 €	1.233,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	10,48 €	10.480,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	138 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	625 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	47 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	silicon carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	82 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt. Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.