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SBRT3M30LP-7

Name: Diodes Incorporated SBRT3M30LP-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBRT3M30LP-7
Price: 0.59 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-SBRT3M30LP-7

Herst.- Nr.:

SBRT3M30LP-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Schottky Dioden & Gleichrichter 3A TrenchSBR 30V 3A 0.49Vf 0.02

Datenblatt:

SBRT3M30LP-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,593 €	0,59 €
	0,389 €	3,89 €
	0,316 €	31,60 €
	0,243 €	121,50 €
	0,219 €	219,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,174 €	522,00 €
	0,172 €	1.032,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:
Produkt:	Schottky Rectifiers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	U-DFN-3030-8
Konfiguration:	Single Quad Anode Quad Cathode
Technologie:	Si
If - Durchlassstrom:	3 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	30 V
Vf - Durchlassspannung:	490 mV
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	30 A
Ir - Sperrstrom:	20 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	SBRT3
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	12 mg

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Datenblatt

SBRT3M30LP-7 Datenblatt (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR^® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (V_F) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.