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RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS3G160ATTB1

Herst.- Nr.:

RS3G160ATTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Datenblatt:

RS3G160ATTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	2,72 €	2,72 €
	1,77 €	17,70 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
	0,989 €	989,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,897 €	2.242,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	120 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	210 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	65 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P - Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	260 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Artikel # Aliases:	RS3G160AT
Gewicht pro Stück:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RS3 Pch Leistungs-MOSFETs

Die RS3 Pch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und sind in einem kleinen oberflächenmontierten Gehäuse untergebracht. ROHM bietet eine breite Spannungspalette von Kleinsignalprodukten bis hin zu 800-V-Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.