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RRR040P03HZGTL

Name: ROHM Semiconductor RRR040P03HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRR040P03HZGTL
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RRR040P03HZGTL

Herst.- Nr.:

RRR040P03HZGTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T

Datenblatt:

RRR040P03HZGTL Datenblatt

ECAD Model:

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	0,503 €	5,03 €
	0,393 €	39,30 €
	0,353 €	176,50 €
	0,314 €	314,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,251 €	753,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-346T-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	10.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	45 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	RRR040P03HZG
Gewicht pro Stück:	12 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RRR0x0P03HZG Automotive-Kleinsignal-MOSFETs

Die RRR0x0P03HZG Fahrzeug-Kleinsignal-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und integrierten G-S-Schutzdioden. Diese MOSFETs bieten -30 V Drain-Source-Spannung (V_DSS) und 1 W Verlustleistung (P_D). Der RRR030P03HZG MOSFET bietet einen Dauersenkenstrom (I_D) von ±3 A und der RRR040P03HZG MOSFET bietet ±4 A I_D. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-konform und verfügen über bleifreie Beschichtungen. Die RRR0x0P03HZG MOSFETs von ROHM Semiconductor sind in einem kleinen TSMT3-Gehäuse zur Oberflächenmontage erhältlich und eignen sich für DC/DC-Wandler.