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RD3N03BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N03BATTL1
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3N03BATTL1

Herst.- Nr.:

RD3N03BATTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 P-CH 80V 30A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RD3N03BATTL1 Datenblatt

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	2,03 €	2,03 €
	1,30 €	13,00 €
	0,903 €	90,30 €
	0,761 €	380,50 €
	0,66 €	660,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,557 €	1.392,50 €
	0,55 €	2.750,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	64 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	54 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	69 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	225 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.