RD3L07BBGTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3L07BBGTL1
RD3L07BBGTL1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

ECAD Model:
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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™
2,87 € 2,87 €
2,04 € 20,40 €
1,43 € 143,00 €
1,26 € 630,00 €
1,17 € 1.170,00 €
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
60 V
115 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
102 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 72 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 12 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 21 ns
Artikel # Aliases: RD3L07BBG
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RSDTxxNSFH Automotive-TVS

Die ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH Überspannungsschutzvorrichtungen (TVS) schützen empfindliche elektronische Geräte gegen Überspannungen unter 3600 W (tp= 10/1000 µs). Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind unidirektional und hochzuverlässig für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen. Die RSDTxxNSFH Entstörer sind Power-Mold-Ausführungen und verfügen über eine Hochstrom-Überlastbeständigkeit. Diese Spannungsschutzvorrichtungen sind in einer Silizium-Epitaxial-Planar-Struktur verfügbar und bieten eine Verlustleistung (PD) von 5 W. Die RSDTxxNSFH Schutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für den Überspannungsschutz.