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RD3G07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G07BBGTL1
Price: 2.81 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3G07BBGTL1

Herst.- Nr.:

RD3G07BBGTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Datenblatt:

RD3G07BBGTL1 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2,81 €	2,81 €
	2,00 €	20,00 €
	1,43 €	143,00 €
	1,32 €	660,00 €
	1,28 €	1.280,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1,14 €	2.850,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	62 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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