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RD3E08BBJHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3E08BBJHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3E08BBJHRBTL
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3E08BBJHRBTL

Herst.- Nr.:

RD3E08BBJHRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 P-CH 30V 80A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RD3E08BBJHRBTL Datenblatt

ECAD Model:

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	1,91 €	19,10 €
	1,33 €	133,00 €
	1,14 €	570,00 €
	1,10 €	1.100,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1,08 €	2.700,00 €

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	150 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	142 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	180 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	220 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

Die 40 A und 80 A Automotive-Leistungs-MOSFETs von ROHM sind n-Kanal- und p-Kanal-Bauteile. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen gepulsten Drainstrom von ±80A/±160 A und eine Verlustleistung von bis zu 142 W. Die 40 A und 80 A Leistungs-MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben und sind 100 % avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.