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RBR40NS30ATL

Name: ROHM Semiconductor RBR40NS30ATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RBR40NS30ATL
Price: 3.1 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RBR40NS30ATL

Herst.- Nr.:

RBR40NS30ATL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)

Datenblatt:

RBR40NS30ATL Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:
Produkt:	Schottky Diodes
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Konfiguration:	Dual Anode Common Cathode
Technologie:	Si
If - Durchlassstrom:	40 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	30 V
Vf - Durchlassspannung:	520 mV
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	100 A
Ir - Sperrstrom:	600 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt-Typ:	Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	30 V
Artikel # Aliases:	RBR40NS30A

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden

Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden von ROHM Semiconductor sind für den Einsatz in Schaltnetzteilen konzipiert und verfügen über einen Durchlassstoßstrom von 100 A. Diese Dioden sind hochzuverlässig, bieten eine niedrige Durchlassspannung und einen durchschnittlich gleichgerichteten Durchlassstrom von 40 A. Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden sind in drei Varianten mit den wiederkehrenden Spitzensperrspannungen 30 V, 40 V und 60 V erhältlich. Diese Dioden sind in einer Silizium-Epitaxie-Planar-Bauweise ausgeführt und werden in einem TO-263AB Gehäuse (D2PAK) geliefert. Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden sind RoHs-konform und arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C.

RBRxx30ATL Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL Schottky-Barriere-Dioden sind gemeinsame Kathoden-Doppel-Dioden mit niedriger V_F und 30 V Sperrspannung (V_R). Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind entweder in TO-263S- (D²PAK) oder TO-252-Gehäusen (DPAK) verfügbar. Die RBRxx60ANZ Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige V_F, hohe Zuverlässigkeit und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Diese Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.