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QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-QH8ME5TCR

Herst.- Nr.:

QH8ME5TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Datenblatt:

QH8ME5TCR Datenblatt

ECAD Model:

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	1,03 €	1,03 €
	0,648 €	6,48 €
	0,409 €	40,90 €
	0,331 €	165,50 €
	0,301 €	301,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,261 €	783,00 €
	0,242 €	1.452,00 €
	0,231 €	2.079,00 €

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2.8 nC, 19.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	5 ns, 48 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S, 3.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns, 7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns, 105 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns, 7.3 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Kleinsignal-MOSFETs

Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor unterstützen eine Spannungsfestigkeit von 40 V, 60 V oder 100 V. Diese Baureihe ist für Geräte mit 24 V Eingangsspannung, z. B. Anlagen zur Fabrikautomatisierung und auf Basisstationen (Kühlgebläse) montierte Motoren, ausgelegt. Die QH8K-Bauteile bestehen aus einem Nch-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der im Vergleich zu herkömmlichen ROHM-Produkten um 58 % reduziert wird. Dies führt zu einem geringen Stromverbrauch der Komponenten. Diese MOSFETs sind in einem kleinen für die Oberflächenmontage geeigneten TSMT8-Gehäuse mit acht Anschlüssen und einer bleifreien Beschichtung verfügbar. Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Schalt- und Motorantriebsapplikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.