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PSMN1R8-80SSFJ

Name: Nexperia PSMN1R8-80SSFJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R8-80SSFJ
Price: 7.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN1R8-80SSFJ

Herst.- Nr.:

PSMN1R8-80SSFJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1235 N-CH 80V 270A

Datenblatt:

PSMN1R8-80SSFJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	7,09 €	7,09 €
	4,83 €	48,30 €
	4,31 €	215,50 €
	3,64 €	364,00 €
	3,41 €	3.410,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2,20 €	4.400,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1235-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	270 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	148 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	341 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	45 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	33 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Artikel # Aliases:	934662271118

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Datenblatt

PSMN1R8-80SSFJ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NextPower 80-/100-V-MOSFETs

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