PMV50XPR

Nexperia
771-PMV50XPR
PMV50XPR

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.6A

ECAD Model:
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0,212 € 21,20 €
0,16 € 80,00 €
0,143 € 143,00 €
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
4.4 A
48 mOhms
- 12 V, 12 V
900 mV
7.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.096 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 68 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 9 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 135 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns
Artikel # Aliases: 934068894215
Gewicht pro Stück: 8 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMVxx p-Kanal-Trench-MOSFETs

Die NXP p-Kanal-Trench-MOSFETs sind Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Sie verwenden die Trench-MOSFET-Technologie und bieten eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreisanwendungen.
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Das oberflächenmontierbare SOT23-Gehäuse von Nexperia Produkte befinden sich in einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen, 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm. Dieses Hauptgehäuse für Halbleiter wurde 1969 eingeführt und entwickelte sich schnell zu einem Industriestandard. Das SOT23-Gehäuse enthält eine breite Palette von Dioden, bipolaren Transistoren, MOSFETs und ESD-Schutzvorrichtungen aus dem Nexperia-Portfolio. Das SOT23-Gehäuse ist seit 50 Jahren eine Konstante und hat mehrere Nachfolger hervorgebracht, z. B. das SOT223 und das SOT323.