PMDXB950UPEZ

Nexperia
771-PMDXB950UPEZ
PMDXB950UPEZ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
P-Channel
2 Channel
20 V
500 mA
5 Ohms
- 8 V, 8 V
450 mV
2.1 nC
- 55 C
+ 150 C
380 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 480 mS
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 13.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2.3 ns
Artikel # Aliases: 934067656147
Gewicht pro Stück: 1,200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench-MOSFETs

NXP PMDXBx 20V Trench-MOSFETs bestehen aus Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen SOT1216 Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Die Bauteile nutzen Trench-MOSFET-Technologie, haben ein freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung, bieten >1kV HBM ESD-Schutz und 470mΩ Drain-Source-On-Widerstand. Die PMDXBx MOSFETs sind in Dual-N- und P-Kanal-Versionen erhältlich. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
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