PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT1216 2NCH 30V .59A

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
140.000
erwartet ab 08.02.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
8
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
0,456 € 0,46 €
0,277 € 2,77 €
0,177 € 17,70 €
0,132 € 66,00 €
0,108 € 108,00 €
0,107 € 267,50 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
0,093 € 465,00 €
0,082 € 820,00 €
0,081 € 2.025,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 600 mS
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Artikel # Aliases: 934069326147
Gewicht pro Stück: 1,290 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench-MOSFETs

NXP PMDXBx 20V Trench-MOSFETs bestehen aus Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen SOT1216 Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Die Bauteile nutzen Trench-MOSFET-Technologie, haben ein freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung, bieten >1kV HBM ESD-Schutz und 470mΩ Drain-Source-On-Widerstand. Die PMDXBx MOSFETs sind in Dual-N- und P-Kanal-Versionen erhältlich. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
Weitere Informationen

PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET

Nexperia  PMDXB550UNE Doppel-n-Kanal-MOSFET ist ein Surface-Mount-Device mit niedriger Schwellenspannung. Diese 30-V-Feld-Effekt-Transistoren (FET) vom Anreicherungstyp hat ein freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung und ESD-Schutz. Typische Applikationen umfassen Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise. Die PMDXB550UNE MOSFET wurde mit Trench-MOSFET-Technologie entwickelt und ist in einem drahtlosen, sehr kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) Kunststoff-Gehäuse verfügbar.