PE4140B-Z

Name: pSemi PE4140B-Z
Brand: pSemi
SKU: 81-PE4140B-Z
Price: 2.82 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

81-PE4140B-Z

Herst.- Nr.:

PE4140B-Z

Herst.:

pSemi

Beschreibung:

HF-Mixer Green 6 lead 3x3 DFN

Datenblatt:

PE4140B-Z Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,82 €	2,82 €
	2,67 €	267,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	2,33 €	6.990,00 €
6.000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	pSemi
Produktkategorie:	HF-Mixer
RoHS:
RF (HF)-Frequenz:	1.7 GHz to 2.2 GHz
Max. Umwandlungsverlust:	8.5 dB
LO-Frequenz:	1.63 GHz to 2.13 GHz
ZF-Frequenz:	70 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-6
Marke:	pSemi
Entwicklungs-Kit:	EK4140-01
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept):	32 dBm
P1dB - Kompressionspunkt:	22 dBm
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	RF Mixer
Serie:	UltraCMOS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	PE4140

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UltraCMOS® Quad MOSFET Mixers

pSemi UltraCMOS® Quad MOSFET Mixers are broadband, quad Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) array cores. These integrated receive mixers feature high linearity, image rejection, Local Oscillator (LO) isolation, strong low-frequency performance, monolithic integration, and high reliability. These pSEmi Quad MOSFET Mixers are manufactured using the Peregrine UltraCMOS process, a patented variation of silicon-on-insulator (SOI) technology on a sapphire substrate, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS.