NVTFS003N04CTAG

onsemi
863-NVTFS003N04CTAG
NVTFS003N04CTAG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
103 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
69 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 93 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 47 ns
Serie: NVTFS003N04C
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem RDS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige RDS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.