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NVMJD020N08HLTWG

Name: onsemi NVMJD020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJD020N08HLTWG
Price: 1.78 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMJD020N08HLTWG

Herst.- Nr.:

NVMJD020N08HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

NVMJD020N08HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	11.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	2 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	NVMJD020N08HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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Datenblatt

NVMJD020N08HLTWG Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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onsemi LFPAK8 Automotive-Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte n-Einkanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Automobilstandard-Leistungs-MOSFET sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.