NVMFWS1D1N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS1D1N04XMT1G
NVMFWS1D1N04XMT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
233 A
1.05 mOhms
20 V
3.5 V
49.3 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 152 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6.7 ns
Serie: NVMFWS1D1N04XM
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 34.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 21.2 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(ON), eine geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.